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IRFB52N15DPBF备选型号: IRFB61N15DPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON51A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2002活跃1 (Unlimited)3EAR9932Ohm150V51ASingle增强型MOSFET320WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING32m Ω @ 36A, 10V5V @ 250μA2770pF @ 25V89nC @ 10V47ns±30V25 ns60A5VTO-220AB30V150V240A150V470 mJ210 ns5 V16.51mm10.66mm4.82mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅- MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON60A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004不用于新设计1 (Unlimited)3EAR9932Ohm150V60ASingle增强型MOSFET330WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING32m Ω @ 36A, 10V5.5V @ 250μA3470pF @ 25V140nC @ 10V110ns±30V51 ns60A-TO-220AB16V150V250A150V520 mJ-5.5 V15.24mm10.5156mm4.69mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQP46N15 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 150V 45.6A TO-220 | 对比 |
| IRFB61N15DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB | 对比 |
| FQP45N15V2 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 150V 45A TO-220 | 对比 |
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