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首页 全部分类 IRFB7430PBF vs AUIRFB8409

IRFB7430PBF备选型号: AUIRFB8409

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRFB7430PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 40V 195A TO220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    32 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 250μA
    14240pF @ 25V
    460nC @ 10V
    105ns
    ±20V
    100 ns
    195A
    2.2V
    TO-220AB
    20V
    40V
    760 mJ
    52 ns
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFB8409
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Single
    -
    375W
    -
    32 ns
    N-Channel
    -
    1.3m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 250μA
    14240pF @ 25V
    450nC @ 10V
    105ns
    ±20V
    100 ns
    195A
    3.9V
    -
    20V
    -
    -
    -
    9.02mm
    10.67mm
    3.43mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1
    40V
    2.2 V
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