Infineon Technologies AUIRFB8409

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

195A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

375W Tc

Turn Off Delay Time

160 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

375W

接通延迟时间

32 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.3m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14240pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

450nC @ 10V

上升时间

105ns

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

100 ns

连续放电电流(ID)

195A

阈值电压

3.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

栅源电压

2.2 V

高度

9.02mm

长度

10.67mm

宽度

3.43mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅