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IRFB7437PBF备选型号: IRL40B212
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- 包装/外壳
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- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET N CH 40V 195A TO22012 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2012活跃1 (Unlimited)3EAR992MOhmSingle增强型MOSFET230WDRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING2m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 150μA7330pF @ 25V225nC @ 10V70ns±20V53 ns195A3VTO-220AB20V40V30 ns3 V16.51mm10.67mm4.83mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET N-CH 40V 195A12 Weeks通孔通孔TO-220-33-195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)-EAR99-Single---39 nsN-Channel-1.9m Ω @ 100A, 10V2.4V @ 150μA8320pF @ 25V137nC @ 4.5V-±20V-195A2.4V-20V---16.51mm10.67mm4.83mmUnknown-ROHS3 Compliant无铅未说明未说明40V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL1404PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB | 对比 |
| IRL40B212 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 195A | 对比 |
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Single N-Channel 40 V 1.6 mOhm 324 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3 | 对比 |
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