Infineon Technologies IRFB7434PBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

195A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

294W Tc

Turn Off Delay Time

115 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.6MOhm

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

294W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10820pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

324nC @ 10V

上升时间

68ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

195A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

40V

雪崩能量等级（Eas）

490 mJ

恢复时间

38 ns

栅源电压

3 V

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅