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首页 全部分类 IRFB7730PBF vs IPA032N06N3GXKSA1

IRFB7730PBF备选型号: IPA032N06N3GXKSA1

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  • 无铅
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • Infineon Technologies
    IRFB7730PBF
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220A
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6.000006g
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    1
    Single
    375W
    21 ns
    N-Channel
    2.6m Ω @ 100A, 10V
    3.7V @ 250μA
    13660pF @ 25V
    407nC @ 10V
    120ns
    ±20V
    115 ns
    195A
    2.1V
    20V
    75V
    175°C
    19.8mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA032N06N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 60 V 3.2 mOhm 124 nC OptiMOS? Power Mosfet - TO-220-3FP
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    84A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    -
    41W
    35 ns
    N-Channel
    3.2m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 118μA
    13000pF @ 30V
    165nC @ 10V
    120ns
    ±20V
    20 ns
    84A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    无卤素
    TO-220AB
    60V
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