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首页 全部分类 IRFH3707TR2PBF vs IRFH8337TRPBF

IRFH3707TR2PBF备选型号: IRFH8337TRPBF

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  • 晶体管元件材料
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRFH3707TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8-PQFN (3x3)
    12A Ta 29A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    12.4MOhm
    150°C
    -55°C
    Single
    2.8W
    7.8 ns
    N-Channel
    12.4mOhm @ 12A, 10V
    2.35V @ 25μA
    755pF @ 15V
    8.1nC @ 4.5V
    11ns
    30V
    ±20V
    5.6 ns
    12A
    1.8V
    20V
    30V
    755pF
    30 ns
    12.4mOhm
    12.4 mΩ
    1.8 V
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8337TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    5.7 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    3.2W
    6.4 ns
    N-Channel
    12.8m Ω @ 16.2A, 10V
    2.35V @ 25μA
    790pF @ 10V
    10nC @ 10V
    12ns
    -
    ±20V
    4.1 ns
    12A
    -
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    1.8 V
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    17 Weeks
    SILICON
    e3
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    65A
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