IRFH3707TR2PBF备选型号: NTMFS4945NT1G

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电阻
  • 最高工作温度
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8-PQFN (3x3)
    12A Ta 29A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    12.4MOhm
    150°C
    -55°C
    Single
    2.8W
    7.8 ns
    N-Channel
    12.4mOhm @ 12A, 10V
    2.35V @ 25μA
    755pF @ 15V
    8.1nC @ 4.5V
    11ns
    30V
    ±20V
    5.6 ns
    12A
    1.8V
    20V
    30V
    755pF
    30 ns
    12.4mOhm
    12.4 mΩ
    1.8 V
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8FL
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    5
    -
    7.4A Ta 35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    2.54W
    -
    N-Channel
    9m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1205pF @ 15V
    17.6nC @ 10V
    -
    -
    ±20V
    -
    35A
    -
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    SILICON
    e3
    yes
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    5
    不合格
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    7.4A
    0.013Ohm
    104A
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