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首页 全部分类 IRFH4234TRPBF vs IRFHM4231TRPBF

IRFH4234TRPBF备选型号: IRFHM4231TRPBF

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFH4234TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    5
    22A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    3.5W
    7.8 ns
    N-Channel
    4.6m Ω @ 30A
    2.1V @ 25μA
    1011pF @ 13V
    17nC @ 10V
    30ns
    25V
    ±20V
    5.3 ns
    22A
    1.6V
    20V
    60A
    900μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM4231TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    -
    8.7 ns
    N-Channel
    3.4m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1270pF @ 13V
    20nC @ 10V
    28ns
    25V
    ±20V
    5.9 ns
    22A
    1.6V
    20V
    -
    900μm
    3.3mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    13 Weeks
    SILICON
    5
    DUAL
    IRFHM4231
    S-PDSO-N5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0046Ohm
    25V
    42 mJ
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