IRFH5006TR2PBF备选型号: IRFH5110TR2PBF

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    21A Ta 100A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3.6W
    Single
    3.6W
    9.6 ns
    N-Channel
    4.1mOhm @ 50A, 10V
    4V @ 150μA
    4175pF @ 30V
    100nC @ 10V
    13ns
    60V
    12 ns
    100A
    4V
    20V
    60V
    4.175nF
    42 ns
    4.1mOhm
    4.1 mΩ
    4 V
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    11A Ta 63A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3.6W
    Single
    114W
    7.8 ns
    N-Channel
    12.4mOhm @ 37A, 10V
    4V @ 100μA
    3152pF @ 25V
    72nC @ 10V
    9.6ns
    100V
    6.4 ns
    63A
    4V
    20V
    100V
    3.152nF
    51 ns
    12.4mOhm
    12.4 mΩ
    4 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
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