IRFH5006TR2PBF备选型号: IRFH5110TR2PBF
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- 底架
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- 引脚数
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN表面贴装表面贴装8-PowerTDFN88-PQFN (5x6)21A Ta 100A TcCut Tape (CT)HEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C3.6WSingle3.6W9.6 nsN-Channel4.1mOhm @ 50A, 10V4V @ 150μA4175pF @ 30V100nC @ 10V13ns60V12 ns100A4V20V60V4.175nF42 ns4.1mOhm4.1 mΩ4 V990.6μm6.1468mm5.15mm无SVHC无符合RoHS标准
- MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN表面贴装表面贴装8-PowerVDFN88-PQFN (5x6)11A Ta 63A TcCut Tape (CT)HEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C3.6WSingle114W7.8 nsN-Channel12.4mOhm @ 37A, 10V4V @ 100μA3152pF @ 25V72nC @ 10V9.6ns100V6.4 ns63A4V20V100V3.152nF51 ns12.4mOhm12.4 mΩ4 V838.2μm5.9944mm5mm无SVHC无符合RoHS标准
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH5110TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFH5206TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFH5206TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN | 对比 |




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