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首页 全部分类 IRFH5007TRPBF vs IRFH5006TRPBF

IRFH5007TRPBF备选型号: IRFH5006TRPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 阈值电压
  • Infineon Technologies
    IRFH5007TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    17A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    5.9MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.9m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 150μA
    4290pF @ 25V
    98nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    11 ns
    100A
    20V
    75V
    400A
    250 mJ
    2 V
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5006TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    21A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    4.1MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    40
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    156W
    DRAIN
    9.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.1m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 150μA
    4175pF @ 30V
    100nC @ 10V
    13ns
    ±20V
    12 ns
    100A
    20V
    60V
    400A
    -
    2 V
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2V
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