IRFH5015TR2PBF备选型号: IRFH5020TRPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN表面贴装表面贴装8-PowerVDFN88-PQFN (5x6)10A Ta 56A TcCut Tape (CT)HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)31MOhm150°C-55°C3.6WSingle3.6W9.4 nsN-Channel31mOhm @ 34A, 10V5V @ 150μA2300pF @ 50V50nC @ 10V9.7ns150V3.4 ns56A5V20V150V2.3nF78 ns31mOhm31 mΩ5 V990.6μm6.1468mm5.15mm无SVHC符合RoHS标准无铅---------------------
- MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-5.1A TaTape & Reel (TR)HEXFET®2012活跃1 (Unlimited)55MOhm----3.6W9.3 nsN-Channel55m Ω @ 7.5A, 10V5V @ 150μA2290pF @ 100V54nC @ 10V7.7ns-6 ns5.1A5V20V200V-----1.05mm6mm5mm无SVHCROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICON-55°C~150°C TJe35EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUALR-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFETDRAINSWITCHING±20V43A63A320 mJ150°C无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET,N-Channel,40V,100A,2.6 mOhm, 73 nC Qg,PQFN | 对比 |
![]() | IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-VQFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 150V 5A PQFN | 对比 |





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