Infineon Technologies IRFH5015TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

供应商器件包装

8-PQFN (5x6)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta 56A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

14 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

31MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3.6W

元素配置

Single

功率耗散

3.6W

接通延迟时间

9.4 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

31mOhm @ 34A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2300pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

9.7ns

漏源电压 (Vdss)

150V

下降时间（典型值）

3.4 ns

连续放电电流(ID)

56A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

150V

输入电容

2.3nF

恢复时间

78 ns

漏源电阻

31mOhm

最大rds

31 mΩ

栅源电压

5 V

高度

990.6μm

长度

6.1468mm

宽度

5.15mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅