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首页 全部分类 IRFH5015TR2PBF vs IRFH5215TRPBF

IRFH5015TR2PBF备选型号: IRFH5215TRPBF

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  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFH5015TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    10A Ta 56A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    31MOhm
    150°C
    -55°C
    3.6W
    Single
    3.6W
    9.4 ns
    N-Channel
    31mOhm @ 34A, 10V
    5V @ 150μA
    2300pF @ 50V
    50nC @ 10V
    9.7ns
    150V
    3.4 ns
    56A
    5V
    20V
    150V
    2.3nF
    78 ns
    31mOhm
    31 mΩ
    5 V
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5215TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 5A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    -
    5A Ta 27A Tc
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    104W
    6.7 ns
    N-Channel
    58m Ω @ 16A, 10V
    5V @ 100μA
    1350pF @ 50V
    32nC @ 10V
    6.3ns
    -
    2.9 ns
    5A
    5V
    20V
    150V
    -
    -
    -
    -
    5 V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    5A
    96 mJ
    无
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