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首页 全部分类 IRFH5110TRPBF vs IRFH7110TRPBF

IRFH5110TRPBF备选型号: IRFH7110TRPBF

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRFH5110TRPBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    11A Ta 63A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    12.4MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    7.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12.4m Ω @ 37A, 10V
    4V @ 100μA
    3152pF @ 25V
    72nC @ 10V
    9.6ns
    ±20V
    6.4 ns
    63A
    4V
    20V
    100V
    252A
    93 mJ
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH7110TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TQFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    11A Ta 58A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    -
    -
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 35A, 10V
    4V @ 100μA
    3240pF @ 25V
    87nC @ 10V
    23ns
    ±20V
    18 ns
    11A
    3V
    20V
    -
    240A
    -
    1.17mm
    5.85mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    FLAT
    Single
    100V
    50A
    3 V
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