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首页 全部分类 IRFH5110TRPBF vs IRFHM9331TR2PBF

IRFH5110TRPBF备选型号: IRFHM9331TR2PBF

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  • 宽度
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  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRFH5110TRPBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    11A Ta 63A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    12.4MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    7.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12.4m Ω @ 37A, 10V
    4V @ 100μA
    3152pF @ 25V
    72nC @ 10V
    9.6ns
    ±20V
    6.4 ns
    63A
    4V
    20V
    100V
    252A
    93 mJ
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM9331TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    11A Ta 24A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2011
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.8W
    -
    11 ns
    P-Channel
    -
    10mOhm @ 11A, 20V
    2.4V @ 25μA
    1543pF @ 25V
    48nC @ 10V
    27ns
    -
    60 ns
    -11A
    -1.8V
    25V
    -30V
    -
    -
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    PQFN (3x3)
    150°C
    -55°C
    2.8W
    Single
    30V
    1.543nF
    96 ns
    14.6mOhm
    10 mΩ
    -1.8 V
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