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首页 全部分类 IRFH5210TRPBF vs IRF6644TRPBF

IRFH5210TRPBF备选型号: IRF6644TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRFH5210TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFH5210TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 55 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 4 VNew
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    10A Ta 55A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    7.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14.9m Ω @ 33A, 10V
    4V @ 100μA
    2570pF @ 25V
    59nC @ 10V
    9.7ns
    ±20V
    6.5 ns
    100A
    4V
    20V
    55A
    100V
    220A
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6644TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MN
    5
    SILICON
    10.3A Ta 60A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    -
    -
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    -
    13m Ω @ 10.3A, 10V
    4.8V @ 150μA
    2210pF @ 25V
    47nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    16 ns
    8.3A
    4.8V
    20V
    -
    100V
    228A
    508μm
    6.35mm
    5.0546mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    低导通损耗
    100V
    10.3A
    86 mJ
    4.8 V
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