Infineon Technologies IRF6644TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MN

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.3A Ta 60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

Turn Off Delay Time

34 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2006

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

100V

端子位置

BOTTOM

额定电流

10.3A

JESD-30代码

R-XBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

89W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

13m Ω @ 10.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.8V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2210pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47nC @ 10V

上升时间

26ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

8.3A

阈值电压

4.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

228A

雪崩能量等级（Eas）

86 mJ

栅源电压

4.8 V

高度

508μm

长度

6.35mm

宽度

5.0546mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅