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首页 全部分类 IRFH5215TRPBF vs IRFH5015TR2PBF

IRFH5215TRPBF备选型号: IRFH5015TR2PBF

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  • 晶体管应用
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
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  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
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  • 供应商器件包装
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRFH5215TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 5A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    5A Ta 27A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    104W
    DRAIN
    6.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    58m Ω @ 16A, 10V
    5V @ 100μA
    1350pF @ 50V
    32nC @ 10V
    6.3ns
    ±20V
    2.9 ns
    5A
    5V
    20V
    5A
    150V
    96 mJ
    5 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5015TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    10A Ta 56A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2013
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.6W
    -
    9.4 ns
    N-Channel
    -
    31mOhm @ 34A, 10V
    5V @ 150μA
    2300pF @ 50V
    50nC @ 10V
    9.7ns
    -
    3.4 ns
    56A
    5V
    20V
    -
    150V
    -
    5 V
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    8-PQFN (5x6)
    31MOhm
    150°C
    -55°C
    3.6W
    Single
    150V
    2.3nF
    78 ns
    31mOhm
    31 mΩ
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
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