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首页 全部分类 IRFH5220TRPBF vs IRFH5015TR2PBF

IRFH5220TRPBF备选型号: IRFH5015TR2PBF

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFH5220TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    3.8A Ta 20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    7.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    99.9m Ω @ 5.8A, 10V
    5V @ 100μA
    1380pF @ 50V
    30nC @ 10V
    4.7ns
    ±20V
    3.4 ns
    3.8A
    20V
    20A
    0.0999Ohm
    200V
    47A
    290 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5015TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    10A Ta 56A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.6W
    -
    9.4 ns
    N-Channel
    -
    31mOhm @ 34A, 10V
    5V @ 150μA
    2300pF @ 50V
    50nC @ 10V
    9.7ns
    -
    3.4 ns
    56A
    20V
    -
    -
    150V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    8-PQFN (5x6)
    31MOhm
    150°C
    -55°C
    3.6W
    Single
    150V
    5V
    2.3nF
    78 ns
    31mOhm
    31 mΩ
    5 V
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    无铅
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