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首页 全部分类 IRFH5220TRPBF vs IRFH5020TRPBF

IRFH5220TRPBF备选型号: IRFH5020TRPBF

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  • ECCN 代码
  • 端子位置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFH5220TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    3.8A Ta 20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    7.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    99.9m Ω @ 5.8A, 10V
    5V @ 100μA
    1380pF @ 50V
    30nC @ 10V
    4.7ns
    ±20V
    3.4 ns
    3.8A
    20V
    20A
    0.0999Ohm
    200V
    47A
    290 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5020TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    5.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    9.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 7.5A, 10V
    5V @ 150μA
    2290pF @ 100V
    54nC @ 10V
    7.7ns
    ±20V
    6 ns
    5.1A
    20V
    43A
    -
    200V
    63A
    320 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    e3
    55MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1
    5V
    150°C
    1.05mm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无铅
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