您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRFH5255TR2PBF vs IRFHM830TRPBF

IRFH5255TR2PBF备选型号: IRFHM830TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFH5255TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    15A Ta 51A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3.6W
    26W
    7.9 ns
    N-Channel
    6mOhm @ 15A, 10V
    2.35V @ 25μA
    988pF @ 13V
    14.5nC @ 10V
    10.7ns
    25V
    3.8 ns
    51A
    1.8V
    20V
    25V
    988pF
    17 ns
    10.9mOhm
    6 mΩ
    1.8 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM830TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    -
    21A Ta 40A Tc
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    2.7W
    12 ns
    N-Channel
    3.8m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2155pF @ 25V
    31nC @ 10V
    25ns
    -
    9.2 ns
    21A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    1.8 V
    1mm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    5
    EAR99
    6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    40A
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFHM830TR2PBF IRFHM830TR2PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-VQFN Exposed Pad MOSFET N-CH 30V 21A PQFN 对比
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-VQFN Exposed Pad MOSFET N-CH 30V 21A PQFN 对比