Infineon Technologies IRFHM830TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VQFN Exposed Pad

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Ta 40A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

13 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.7W

功率耗散

37W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.8m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2155pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

25ns

下降时间（典型值）

9.2 ns

连续放电电流(ID)

21A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

恢复时间

26 ns

栅源电压

1.8 V

高度

990.6μm

长度

3.2766mm

宽度

3.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅