IRFH5255TRPBF备选型号: IRFHS8242TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 栅源电压
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON15A Ta 51A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)5EAR996MOhmDUALR-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3.6WDRAIN7.9 nsN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 15A, 10V2.35V @ 25μA988pF @ 13V14.5nC @ 10V10.7ns±20V3.8 ns51A20V25V60A53 mJ838.2μm5.9944mm5mm无符合RoHS标准无铅-------
- MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN表面贴装表面贴装6-PowerVDFN6SILICON9.9A Ta 21A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010活跃1 (Unlimited)6EAR9913MOhmDUAL--增强型MOSFET2.1WDRAIN6.5 nsN-ChannelSWITCHING13m Ω @ 8.5A, 10V2.35V @ 25μA653pF @ 10V10.4nC @ 10V19ns±20V5.3 ns9.9A20V25V84A-950μm2.1mm2.1mm无ROHS3 Compliant无铅12 Weekse3Matte Tin (Sn)Single8.5A1.8 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFHM830DTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-VQFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | 对比 |
![]() | IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerVDFN | MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN | 对比 |





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