IRFH5301TRPBF备选型号: IRFH7440TRPBF
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- 包装/外壳
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 配置
- 通道数量
- 最大结点温度(Tj)
- INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8PQFN (5x6) Single Die35A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009活跃1 (Unlimited)1.85MOhm150°C-55°C110W21 nsN-Channel1.85mOhm @ 50A, 10V2.35V @ 100μA5114pF @ 15V77nC @ 10V78ns30V±20V23 ns100A1.8V20V30V5.114nF1.55mOhm1.85 mΩ1.8 V850μm6mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-85A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2012活跃1 (Unlimited)2.4MOhm--104W12 nsN-Channel2.4m Ω @ 50A, 10V3.9V @ 100μA4574pF @ 25V138nC @ 10V45ns-±20V42 ns85A2.2V20V40V----1.05mm5.85mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅EAR99Single1150°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Single N-Channel 25 V 1.75 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm | 对比 |
![]() | IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN | 对比 |
![]() | IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 40A PQFN | 对比 |






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