Infineon Technologies IRFHM8363TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

2.7W

基本部件号

IRFHM8363PBF

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.7W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14.9m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1165pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

94ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

33 ns

连续放电电流(ID)

11A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0149Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

116A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.8 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅