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首页 全部分类 IRFH5303TR2PBF vs IRFHM9331TR2PBF

IRFH5303TR2PBF备选型号: IRFHM9331TR2PBF

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  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 最大功率耗散
  • 阈值电压
  • Infineon Technologies
    IRFH5303TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    23A Ta 82A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    Single
    3.6W
    11 ns
    N-Channel
    4.2mOhm @ 49A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2190pF @ 15V
    41nC @ 10V
    31ns
    30V
    ±20V
    6.1 ns
    23A
    20V
    30V
    2.19nF
    29 ns
    4.2mOhm
    4.2 mΩ
    1.8 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM9331TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PQFN (3x3)
    11A Ta 24A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    Single
    2.8W
    11 ns
    P-Channel
    10mOhm @ 11A, 20V
    2.4V @ 25μA
    1543pF @ 25V
    48nC @ 10V
    27ns
    30V
    -
    60 ns
    -11A
    25V
    -30V
    1.543nF
    96 ns
    14.6mOhm
    10 mΩ
    -1.8 V
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    2.8W
    -1.8V
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