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首页 全部分类 IRFH7084TRPBF vs IRFH5250TRPBF

IRFH7084TRPBF备选型号: IRFH5250TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRFH7084TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    2007
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1
    Single
    16 ns
    N-Channel
    1.25m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 150μA
    6560pF @ 25V
    190nC @ 10V
    31ns
    40V
    ±20V
    34 ns
    100A
    3.9V
    20V
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5250TRPBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 25 V 1.75 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    45A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    2005
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    28 ns
    N-Channel
    1.15m Ω @ 50A, 10V
    2.35V @ 150μA
    7174pF @ 13V
    110nC @ 10V
    46ns
    -
    ±20V
    19 ns
    100A
    1.8V
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    无SVHC
    无铅
    SILICON
    e3
    5
    1.75MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    无铅
    260
    30
    R-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    SWITCHING
    45A
    25V
    400A
    1.8 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
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