ON Semiconductor FDMS86252

工厂交货时间

8 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

74mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.6A Ta 16A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Turn Off Delay Time

15 ns

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 69W Tc

Number of Elements

1

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

69W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

51m Ω @ 4.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

905pF @ 75V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

2.3ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.2 ns

连续放电电流(ID)

16A

阈值电压

2.8V

JEDEC-95代码

MO-240AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.6A

漏源击穿电压

150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

宽度

6mm

长度

5mm

高度

1.05mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅