IRFH7107TRPBF备选型号: IRFH8325TRPBF

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    14A Ta 75A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    3.6W
    9.1 ns
    N-Channel
    8.5m Ω @ 45A, 10V
    4V @ 100μA
    3110pF @ 25V
    72nC @ 10V
    12ns
    75V
    ±20V
    6.5 ns
    14A
    20V
    75A
    1.17mm
    5.85mm
    5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    21A Ta 82A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    3.6W
    12 ns
    N-Channel
    5m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2487pF @ 10V
    32nC @ 10V
    16ns
    -
    ±20V
    7.1 ns
    21A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    e3
    5
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.005Ohm
    30V
    94 mJ
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