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首页 全部分类 IRFH7110TRPBF vs IRFH5110TR2PBF

IRFH7110TRPBF备选型号: IRFH5110TR2PBF

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRFH7110TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TQFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    11A Ta 58A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 35A, 10V
    4V @ 100μA
    3240pF @ 25V
    87nC @ 10V
    23ns
    100V
    ±20V
    18 ns
    11A
    3V
    20V
    50A
    240A
    3 V
    1.17mm
    5.85mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5110TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    11A Ta 63A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    114W
    -
    7.8 ns
    N-Channel
    -
    12.4mOhm @ 37A, 10V
    4V @ 100μA
    3152pF @ 25V
    72nC @ 10V
    9.6ns
    100V
    -
    6.4 ns
    63A
    4V
    20V
    -
    -
    4 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    8-PQFN (5x6)
    150°C
    -55°C
    3.6W
    100V
    3.152nF
    51 ns
    12.4mOhm
    12.4 mΩ
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