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IRFH7188TRPBF备选型号: FDMS86181
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 关断时间-最大值（toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- 高度
MOSFET N-CH 100V 18A表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON18A Ta 105A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FASTIRFET™, HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)5EAR996.6mOhmDUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 50A, 10V3.9V @ 150μA2116pF @ 50V50nC @ 10V100V±20V105A210A100V493 mJ符合RoHS标准无铅---------------------
MOSFET N-CH 100V 44A POWER56表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON44A Ta 124A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-活跃1 (Unlimited)5EAR99-DUALFLAT260未说明R-PDSO-F5-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING4.2m Ω @ 44A, 10V4V @ 250μA4125pF @ 50V59nC @ 10V-±20V17A--337 mJROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)20 Weeks90mge3yesTin (Sn)not_compliant1Single2.5W17 ns2VMO-240AA20V0.0042Ohm100V150°C40 pF52ns49ns1.1mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS86181 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 44A POWER56 | 对比 |
 | IRFS4310ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | 对比 |
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