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IRFH7440TRPBF备选型号: IRFH8316TRPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 配置
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN885A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2012活跃1 (Unlimited)EAR992.4MOhmSingle1104W12 nsN-Channel2.4m Ω @ 50A, 10V3.9V @ 100μA4574pF @ 25V138nC @ 10V45ns±20V42 ns85A2.2V20V40V150°C1.05mm5.85mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----- MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X617 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN827A Ta 50A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)EAR99--13.6W19 nsN-Channel2.95m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 50μA3610pF @ 10V59nC @ 10V67ns±20V24 ns27A-20V30V------ROHS3 Compliant无铅未说明未说明Single50A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH8316TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6 | 对比 |
 | IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew | 对比 |
 | IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 40A PQFN | 对比 |
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