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首页 全部分类 IRFH7446TRPBF vs IRLH7134TRPBF

IRFH7446TRPBF备选型号: IRLH7134TRPBF

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IRFH7446TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6
    12 Weeks
    8-TQFN Exposed Pad
    表面贴装
    表面贴装
    5
    SILICON
    78W Tc
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2008
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    3.3MOhm
    DUAL
    FLAT
    Single
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 50A, 10V
    3.9V @ 100μA
    3174pF @ 25V
    98nC @ 10V
    37ns
    ±20V
    26 ns
    85A
    2.2V
    20V
    40V
    468A
    5mm
    5.85mm
    1.17mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLH7134TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN
    52 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    26A Ta 85A Tc
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 50A, 10V
    2.5V @ 100μA
    3720pF @ 25V
    58nC @ 4.5V
    75ns
    ±16V
    13 ns
    26A
    -
    16V
    -
    640A
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    40V
    0.0033Ohm
    40V
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