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首页 全部分类 IRFH7921TRPBF vs IRFH3702TR2PBF

IRFH7921TRPBF备选型号: IRFH3702TR2PBF

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  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRFH7921TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    15A Ta 34A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    8.5MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    12 ns
    N-Channel
    8.5m Ω @ 15A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1210pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    7.6ns
    ±20V
    4.7 ns
    15mA
    20V
    34A
    30V
    30V
    1.8 V
    1.1684mm
    5.2324mm
    6.2484mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH3702TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    16A Ta 42A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    7.1MOhm
    -
    -
    2.8W
    9.6 ns
    N-Channel
    7.1mOhm @ 16A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1510pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    15ns
    -
    5.8 ns
    16A
    20V
    -
    30V
    -
    1.8 V
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    8-PQFN (3x3)
    150°C
    -55°C
    2.8W
    Single
    30V
    1.51nF
    26 ns
    7.1mOhm
    7.1 mΩ
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