IRFH7921TRPBF备选型号: IRFH5306TRPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56表面贴装表面贴装8-PowerVDFN815A Ta 34A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMTEAR998.5MOhmSingle增强型MOSFET3.1W12 nsN-Channel8.5m Ω @ 15A, 10V2.35V @ 25μA1210pF @ 15V14nC @ 4.5V7.6ns±20V4.7 ns15mA20V34A30V30V1.8 V1.1684mm5.2324mm6.2484mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
- MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN表面贴装表面贴装8-PowerVDFN815A Ta 44A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009Obsolete1 (Unlimited)-EAR998.1MOhmSINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3.6W9 nsN-Channel8.1m Ω @ 15A, 10V2.35V @ 25μA1125pF @ 15V12nC @ 4.5V26ns±20V6.1 ns44A20V-30V--838.2μm5.9944mm5mm-无符合RoHS标准无铅TinSILICON5HIGH RELIABILITYDUALR-PDSO-N5DRAINSWITCHING60A46 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN | 对比 |
![]() | IRFH3702TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | 对比 |
![]() | IRFH5306TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN | 对比 |




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