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首页 全部分类 IRFH8318TRPBF vs IRFH4226TRPBF

IRFH8318TRPBF备选型号: IRFH4226TRPBF

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
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  • RoHS状态
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFH8318TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    27A Ta 120A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3180pF @ 10V
    41nC @ 10V
    33ns
    ±20V
    12 ns
    27A
    20V
    50A
    30V
    400A
    1.8 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH4226TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    30A Ta 70A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FASTIRFET™, HEXFET®
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.4W
    -
    11 ns
    N-Channel
    -
    2.4m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 50μA
    2000pF @ 13V
    32nC @ 10V
    35ns
    ±20V
    8.1 ns
    30A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    未说明
    未说明
    IRFH4226
    1
    25V
    无铅
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