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首页 全部分类 IRFH8318TRPBF vs IRFH8324TRPBF

IRFH8318TRPBF备选型号: IRFH8324TRPBF

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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
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  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFH8318TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    27A Ta 120A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3180pF @ 10V
    41nC @ 10V
    33ns
    ±20V
    12 ns
    27A
    20V
    50A
    30V
    400A
    1.8 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8324TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    23A Ta 90A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.1m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2380pF @ 10V
    31nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    8.5 ns
    23A
    20V
    50A
    30V
    200A
    1.8 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    e3
    Matte Tin (Sn)
    94 mJ
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