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IRFH8324TR2PBF备选型号: IRFH8318TR2PBF

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  • 漏源电阻
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  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • Infineon Technologies
    IRFH8324TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PQFN (5x6)
    23A Ta 90A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3.1MOhm
    150°C
    -55°C
    Single
    3.6W
    13 ns
    N-Channel
    4.1mOhm @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2380pF @ 10V
    31nC @ 10V
    26ns
    30V
    ±20V
    8.5 ns
    23A
    1.8V
    20V
    30V
    2.38nF
    24 ns
    4.1mOhm
    4.1 mΩ
    1.8 V
    1.17mm
    5.85mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8318TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PQFN (5x6)
    18 ns
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3.1MOhm
    150°C
    -55°C
    Single
    3.6W
    15 ns
    N-Channel
    3.1mOhm @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3180pF @ 10V
    41nC @ 10V
    33ns
    30V
    -
    12 ns
    27A
    1.8V
    20V
    30V
    3.18nF
    24 ns
    3.1mOhm
    3.1 mΩ
    1.8 V
    1.17mm
    5.85mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    3.6W
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