IRFHM4231TRPBF备选型号:
IRFHM4234TRPBF
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 功率耗散
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
-
MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
13 Weeks
Tin
表面贴装
表面贴装
8-PowerTDFN
8
SILICON
40A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
HEXFET®
2013
Obsolete
1 (Unlimited)
5
EAR99
DUAL
IRFHM4231
S-PDSO-N5
Single
增强型MOSFET
DRAIN
8.7 ns
N-Channel
SWITCHING
3.4m Ω @ 30A, 10V
2.1V @ 35μA
1270pF @ 13V
20nC @ 10V
28ns
25V
±20V
5.9 ns
22A
1.6V
20V
0.0046Ohm
25V
42 mJ
900μm
3.3mm
5mm
无SVHC
无
符合RoHS标准
无铅
-
-
-
-
-
MOSFET N-CH 25V 20A PQFN
-
Copper, Silver, Tin
表面贴装
表面贴装
8-TQFN Exposed Pad
5
SILICON
20A Ta
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
FASTIRFET™, HEXFET®
2013
Obsolete
1 (Unlimited)
5
EAR99
DUAL
-
-
Single
增强型MOSFET
DRAIN
7.8 ns
N-Channel
SWITCHING
4.4m Ω @ 30A, 10V
2.1V @ 25μA
1011pF @ 13V
17nC @ 10V
30ns
25V
±20V
5.3 ns
20A
1.6V
20V
-
-
39 mJ
900μm
3.3mm
3.3mm
无SVHC
无
符合RoHS标准
无铅
4.4MOhm
2.8W
63A
270A
-
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MOSFET N-CH 25V 40A PQFN13 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON40A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)5EAR99DUALIRFHM4231S-PDSO-N5Single增强型MOSFETDRAIN8.7 nsN-ChannelSWITCHING3.4m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 35μA1270pF @ 13V20nC @ 10V28ns25V±20V5.9 ns22A1.6V20V0.0046Ohm25V42 mJ900μm3.3mm5mm无SVHC无符合RoHS标准无铅----
MOSFET N-CH 25V 20A PQFN-Copper, Silver, Tin表面贴装表面贴装8-TQFN Exposed Pad5SILICON20A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FASTIRFET™, HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)5EAR99DUAL--Single增强型MOSFETDRAIN7.8 nsN-ChannelSWITCHING4.4m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 25μA1011pF @ 13V17nC @ 10V30ns25V±20V5.3 ns20A1.6V20V--39 mJ900μm3.3mm3.3mm无SVHC无符合RoHS标准无铅4.4MOhm2.8W63A270A
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