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IRFHM792TRPBF备选型号: BSP373NH6327XTSA1
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 无卤素
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- 最大双电源电压
- 达到SVHC
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013e3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)2.3WIRFHM792PBFDual增强型MOSFET2.3WDRAIN3.4 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING195m Ω @ 2.9A, 10V4V @ 10μA251pF @ 25V6.3nC @ 10V4.7ns100V2.6 ns2.3A20V3.4A0.195Ohm100V14AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard无ROHS3 Compliant无铅------------
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4SILICON1.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2007e3活跃1 (Unlimited)4EAR99---Single增强型MOSFET1.8WDRAIN4.6 nsN-Channel-240m Ω @ 1.8A, 10V4V @ 218μA265pF @ 25V9.3nC @ 10V5.9ns-13.5 ns1.8A20V-------ROHS3 Compliant无铅Tin250.212891mg雪崩 额定DUAL鸥翼未说明未说明无卤素±20V3V100V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSP373NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
 | IRFM120ATF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
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