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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.169926
10
¥4.877289
100
¥4.601216
500
¥4.340769
1000
¥4.095066
Infineon Technologies BSP373NH6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BSP373NH6327XTSA1
1211-BSP373NH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSP373NH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSP373NH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
250.212891mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
Turn Off Delay Time
21.9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4.6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
240m Ω @ 1.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 218μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
265pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.3nC @ 10V
上升时间
5.9ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
13.5 ns
连续放电电流(ID)
1.8A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSP373NH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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