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首页 全部分类 IRFHM8228TRPBF vs IRF8736TRPBF

IRFHM8228TRPBF备选型号: IRF8736TRPBF

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRFHM8228TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    4.2mOhm
    DUAL
    FLAT
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.2m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1667pF @ 10V
    18nC @ 10V
    22ns
    25V
    ±20V
    6.2 ns
    19A
    1.8V
    20V
    65A
    260A
    25V
    50 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8736TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    18A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    4.8MOhm
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.8m Ω @ 18A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2315pF @ 15V
    26nC @ 4.5V
    15ns
    -
    ±20V
    7.5 ns
    18A
    1.8V
    20V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    Single
    2.5W
    30V
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
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