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首页 全部分类 IRFHM830TRPBF vs IRFH5304TRPBF

IRFHM830TRPBF备选型号: IRFH5304TRPBF

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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFHM830TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    21A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2155pF @ 25V
    31nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    9.2 ns
    21A
    1.8V
    20V
    40A
    30V
    1.8 V
    1mm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5304TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    22A Ta 79A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    4.5MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 47A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2360pF @ 10V
    41nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    6.6 ns
    79A
    -
    20V
    22A
    30V
    2.35 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260
    30
    320A
    46 mJ
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