您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRFHM830TRPBF vs IRFHS8342TRPBF

IRFHM830TRPBF备选型号: IRFHS8342TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFHM830TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    21A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2155pF @ 25V
    31nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    9.2 ns
    21A
    1.8V
    20V
    40A
    30V
    1.8 V
    1mm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Infineon Technologies
    IRFHS8342TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    SILICON
    8.8A Ta 19A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    16MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    5.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 8.5A, 10V
    2.35V @ 25μA
    600pF @ 25V
    8.7nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    5 ns
    8.8A
    1.8V
    20V
    8.5A
    30V
    1.8 V
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFHM830DTRPBF IRFHM830DTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-VQFN Exposed Pad MOSFET N-CH 30V 20A PQFN 对比
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-PowerVDFN INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew 对比