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首页 全部分类 IRFHM8329TRPBF vs IRFH3702TRPBF

IRFHM8329TRPBF备选型号: IRFH3702TRPBF

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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 宽度
  • 长度
  • Infineon Technologies
    IRFHM8329TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
    39 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta 57A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.6W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.1m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 25μA
    1710pF @ 10V
    26nC @ 10V
    74ns
    ±20V
    14 ns
    16A
    1.7V
    20V
    30V
    230A
    43 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH3702TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    16A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    -
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    9.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.1m Ω @ 16A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1510pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    15ns
    ±20V
    5.8 ns
    16A
    1.8V
    20V
    30V
    120A
    77 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    SMD/SMT
    0.0071Ohm
    30V
    1.8 V
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
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