IRFHM9331TR2PBF备选型号: IRFH3702TR2PBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 电阻
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PQFN (3x3)
    11A Ta 24A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2.8W
    Single
    2.8W
    11 ns
    P-Channel
    10mOhm @ 11A, 20V
    2.4V @ 25μA
    1543pF @ 25V
    48nC @ 10V
    27ns
    30V
    60 ns
    -11A
    -1.8V
    25V
    -30V
    1.543nF
    96 ns
    14.6mOhm
    10 mΩ
    -1.8 V
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8-PQFN (3x3)
    16A Ta 42A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2.8W
    Single
    2.8W
    9.6 ns
    N-Channel
    7.1mOhm @ 16A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1510pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    15ns
    30V
    5.8 ns
    16A
    -
    20V
    30V
    1.51nF
    26 ns
    7.1mOhm
    7.1 mΩ
    1.8 V
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    7.1MOhm
    无铅
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