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首页 全部分类 IRFHM9331TR2PBF vs IRFH8334TRPBF

IRFHM9331TR2PBF备选型号: IRFH8334TRPBF

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  • 操作模式
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • Infineon Technologies
    IRFHM9331TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PQFN (3x3)
    11A Ta 24A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2.8W
    Single
    2.8W
    11 ns
    P-Channel
    10mOhm @ 11A, 20V
    2.4V @ 25μA
    1543pF @ 25V
    48nC @ 10V
    27ns
    30V
    60 ns
    -11A
    -1.8V
    25V
    -30V
    1.543nF
    96 ns
    14.6mOhm
    10 mΩ
    -1.8 V
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
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  • Infineon Technologies
    IRFH8334TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    14A Ta 44A Tc
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    3.2W
    8.3 ns
    N-Channel
    9m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1180pF @ 10V
    15nC @ 10V
    14ns
    -
    4.6 ns
    14A
    -
    20V
    30V
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    1.8 V
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    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    260
    30
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    0.009Ohm
    35 mJ
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