IRFI4024H-117P备选型号: IRFI4019H-117P

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5
    通孔
    通孔
    TO-220-5 Full Pack
    5
    TO-220-5 Full-Pak
    11A
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    60MOhm
    150°C
    -55°C
    14W
    Dual
    14W
    5.9 ns
    14W
    2 N-Channel (Dual)
    60mOhm @ 7.7A, 10V
    4V @ 25μA
    320pF @ 50V
    13nC @ 10V
    2ns
    55V
    3.4 ns
    11A
    4V
    20V
    55V
    320pF
    26 ns
    Standard
    60mOhm
    60 mΩ
    4 V
    9.8mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-5 Full Pack
    5
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    95MOhm
    -
    -
    18W
    Dual
    18W
    7 ns
    -
    2 N-Channel (Dual)
    95m Ω @ 5.2A, 10V
    4.9V @ 50μA
    810pF @ 25V
    20nC @ 10V
    6.6ns
    150V
    3.1 ns
    8.7A
    4.9V
    20V
    150V
    -
    86 ns
    Standard
    -
    -
    4.9 V
    9.02mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    5
    EAR99
    SINGLE
    增强型MOSFET
    AMPLIFIER
    34A
    77 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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