IRFI4024H-117P备选型号: IRFI4212H-117P
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5通孔通孔TO-220-5 Full Pack5TO-220-5 Full-Pak11A-55°C~150°C TJTube2006Obsolete1 (Unlimited)60MOhm150°C-55°C14WDual14W5.9 ns14W2 N-Channel (Dual)60mOhm @ 7.7A, 10V4V @ 25μA320pF @ 50V13nC @ 10V2ns55V3.4 ns11A4V20V55V320pF26 nsStandard60mOhm60 mΩ4 V9.8mm10.6172mm4.826mm无SVHC无符合RoHS标准无铅-----------
- MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5通孔通孔TO-220-5 Full Pack5-2-55°C~150°C TJTube2006活跃1 (Unlimited)72.5MOhm--18WDual18W4.7 ns-2 N-Channel (Dual)72.5m Ω @ 6.6A, 10V5V @ 250μA490pF @ 50V18nC @ 10V8.3ns100V4.3 ns11A5V20V100V-54 nsStandard--5 V9.02mm10.67mm4.83mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICON5EAR99SINGLE增强型MOSFETISOLATEDAMPLIFIER44A41 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFI4019H-117P | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | TO-220-5 Full Pack | MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP | 对比 |
![]() | IRFI4020H-117P | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | TO-220-5 Full Pack | 200V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package. | 对比 |
![]() | STF7NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-5 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP | 对比 |







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